性能参数：
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产品型号
GaN-FS-C-SI-C50
尺寸
Ф 50.8 ± 1 mm
厚度
350 ± 25 µm
有效面积
>90%
晶体取向
C-plane (0001) off angle toward M-Axis 0.35°± 0.15°
主定位边
(1-100)±0.5°,16.0±1.0mm
次定位边
(11-20)±3°,8.0±1.0mm
TTV
≤15µm
弯曲度
≤20µm
导电类型
Semi-Insulating
电阻率（300 K）
> 106 Ω·cm
位错密度
From1x105 to 3x106 cm-2
抛光
Front surface：Ra＜0.2 nm(polished);
or<0.3nm (polished and surface treatment for epitaxy)
Back Surface：0.5~1.5μm;
option：1-3nm (Fine ground); < 0.2nm(polished)
包装
Packaged in a class 100 clean room environment,
in single container,under a nitrogen atmosphere.
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AG体育 | 首页
地址：苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢518室
© Copyright 2005-2018. All Rights Reserved.
技术支持：ag体育
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产品型号 GaN-FS-C-SI-C50 尺寸 Ф 50.8 ± 1 mm 厚度 350 ± 25 µm 有效面积 >90% 晶体取向 C-plane (0001) off angle toward M-Axis 0.35°± 0.15° 主定位边 (1-100)±0.5°,16.0±1.0mm 次定位边 (11-20)±3°,8.0±1.0mm TTV ≤15µm 弯曲度 ≤20µm 导电类型 Semi-Insulating 电阻率（300 K） > 106 Ω·cm 位错密度 From1x105 to 3x106 cm-2 抛光 Front surface：Ra＜0.2 nm(polished);
or<0.3nm (polished and surface treatment for epitaxy)Back Surface：0.5~1.5μm;
option：1-3nm (Fine ground); < 0.2nm(polished)包装 Packaged in a class 100 clean room environment,
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